| Immagine | parte # | Descrizione | fabbricante | Di riserva | RFQ |
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Modulo Mosfet di potenza BD439 Transistor NPN in silicio di media potenza in plastica
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Bipolar (BJT) Transistor NPN 60 V 4 A 3MHz 36 W Through Hole TO-126
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TIP102 Mosfet Transistor TRANSISTOR DARLICM GROUPON DI POTENZA AL SILICIO COMPLEMENTARI
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Bipolar (BJT) Transistor NPN - DarliCM GROUPon 100 V 8 A 2 W Through Hole TO-220
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Potere complementare DarliCM GROUPon Transistors del silicio del transistor del Mosfet di potere TIP122
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Bipolar (BJT) Transistor NPN - DarliCM GROUPon 100 V 5 A 2 W Through Hole TO-220
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Commutazione di BD681 NPN DarliCM GROUPon Power Transistors Medium Power
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Transistor bipolare (BJT) NPN - DarliCM GROUPon 100 V 4 A 40 W attraverso il foro SOT-32-3
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Mosfet complementare di potere del transistor del Mosfet di potere di MJE15032G MJE15033G
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Transistor bipolare (BJT) NPN 250 V 8 un 30MHz 50 W attraverso il foro TO-220
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Transistor NPN del Mosfet di potere BFR520 un transistor a larga banda di 9 gigahertz
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Supporto di superficie SC-75 del transistor NPN 15V 70mA 9GHz 150mW di rf
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Transistor per tutti gli usi NPN IC elettrico del silicio di BC846B
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Transistor bipolare (BJT) NPN 65 V 100 mA 300MHz un supporto di superficie SOT-23-3 da 350 Mw
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Transistor di plastica del pacchetto di 2SC2482 TO-92 (NPN), transistor per tutti gli usi di Npn
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Bipolar (BJT) Transistor NPN 300 V 100 mA 50MHz 900 mW Through Hole TO-92MOD
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Transistor del Mosfet di potere BCV49, corrente di collettore di DarliCM GROUPon Transistors High del silicio di NPN
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Bipolar (BJT) Transistor NPN - DarliCM GROUPon 60 V 500 mA 220MHz 1.3 W Surface Mount SOT-89
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2SC4793 (F, M) 3 Pin Transistor Chip Electronics CI Chip Integarted Circuts
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Bipolar (BJT) Transistor NPN 230 V 1 A 100MHz 2 W Through Hole TO-220NIS
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Transistor del Mosfet di potere PMBT2222AYS115, mosfet di commutazione di potere di PHILIPS NPN
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Array di transistor bipolari (BJT).
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Transistor di potenza planari epitassiali 2SC5707 del silicio NPN/di PNP per la commutazione a corrente forte
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Transistor bipolare (BJT) NPN 50 V 8 un supporto di superficie TP-FA di 330MHz 1 W
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Tipo diffuso triplo del silicio NPN del transistor del Mosfet di potere del mosfet CI di potere 2SC2229-Y (processo del PCT)
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Transistor bipolare (BJT) NPN 150 V 50 mA 120MHz 800 Mw attraverso il foro TO-92MOD
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Mosfet di commutazione PLANARE di potere del SILICIO di ZTX653 NPN (TRANSISTOR di MEDIA POTENZA)
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Bipolar (BJT) Transistor NPN 100 V 2 A 175MHz 1 W Through Hole E-Line (TO-92 compatible)
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Audio tipo epitassiale del silicio NPN del transistor di IC dell'amplificatore di potenza 2SC5171 200 megahertz
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Transistor bipolare (BJT) NPN 180 V 2 un 200MHz 2 W attraverso il foro TO-220NIS
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Transistor di commutazione del mosfet di alto potere di MMBT4403LT1G, transistor di potenza del silicio di PNP
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Transistor bipolare (BJT) PNP 40 V 600 mA 200MHz un supporto di superficie SOT-23-3 (TO-236) da 300
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Elettronica CI Chip Integarted Circuts del modulo del mosfet di potere LT1086CM-3.3
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Linear Voltage Regulator IC Positive Fixed 1 Output 1.5A 3-DDPAK
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MJD340TF Transistor di potenza ad alta tensione Mosfet di potenza switching D-PAK
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Bipolar (BJT) Transistor NPN 300 V 500 mA 1.56 W Surface Mount D-Pak
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Transistor 19A, 100V, 0,200 ohm, MOSFETs del Mosfet di potere del mosfet CI di potere IRF9540 di potere di P-Manica
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P-Channel 100 V 19A (Tc) 150W (Tc) Through Hole TO-220AB
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Regolatori di tensione positivi fissi e regolabili di goccia bassa del transistor del Mosfet di potere di LD1117S12TR
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Linear Voltage Regulator IC Positive Fixed 1 Output 800mA SOT-223
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FCX605TA 20V NPN SILICONE TRANSISTOR DARLICM GROUPON AD ALTA TENSIONE mosfet per uso generico
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Bipolar (BJT) Transistor NPN - DarliCM GROUPon 120 V 1 A 150MHz 1 W Surface Mount SOT-89-3
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PBSS4112PANP, 115 transistor basso del transistor NPN/NPN VCEsat (BISS) del Mosfet di potere
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Bipolar (BJT) Transistor Array NPN, PNP 120V 1A 120MHz 510mW Surface Mount 6-HUSON (2x2)
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Originale epitassiale del transistor del silicio di 2SC5242 3 Pin Transistor NPN
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Bipolar (BJT) Transistor NPN 250 V 17 A 30MHz 130 W Through Hole TO-3P
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Transistor bipolare di BC847B SOT-23 1F 1FW NPN SMD
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TRANSISTOR DI SUPERFICIE del SUPPORTO del multi dell'emettitore di MMBT3904-7-F SEGNALE del transistor NPN PICCOLO
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Bipolar (BJT) Transistor NPN 40 V 200 mA 300MHz 300 mW Surface Mount SOT-23-3
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Componenti doppie di elettronica del silicio del transistor NPN del Mosfet di potere di BC847A
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Transistor bipolare (BJT) NPN 45 V 100 mA 300MHz un supporto di superficie SOT-23-3 (TO-236) da 250
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2SC945 Amplificatore di frequenza audio Osc Npn ad alta frequenza Transistor
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Bipolar (BJT) Transistor NPN 50 V 150 mA 150MHz 400 mW Through Hole TO-92
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Transistor epitassiale 2SC5200 del Mosfet di potere del transistor del silicio di NPN
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Bipolar (BJT) Transistor NPN 230 V 15 A 30MHz 150 W Through Hole TO-264
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PZT2222A Transistor Mosfet di potenza NPN AMPLIFICATORE PER SCOPI GENERALI
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Bipolar (BJT) Transistor NPN 40 V 600 mA 300MHz 1 W Surface Mount SOT-223
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MMBT5551LT1G Transistor Mosfet di potenza Transistor ad alta tensione Silicio NPN
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Bipolar (BJT) Transistor NPN 160 V 600 mA 225 mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
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Transistor di commutazione complementare del Mosfet di potere di NJW0302G, NPN - transistor bipolari di potere di PNP
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Bipolar (BJT) Transistor PNP 250 V 15 A 30MHz 150 W Through Hole TO-3P-3L
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FZT653TA Transistor Mosfet di potenza Npn Transistor planare ad alte prestazioni in silicio
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TRANS NPN 100V 2A SOT223-3
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MPSA42 Transistor Mosfet di potenza Transistor NPN ad alta tensione a bassa corrente
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Bipolar (BJT) Transistor NPN 300 V 500 mA 50MHz 625 mW Through Hole TO-92-3
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Transistor (Npn) per le applicazioni generali di Af, alta corrente di collettore Bc817-40
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Transistor bipolare (BJT) NPN 45 V 500 mA 100MHz un supporto di superficie SOT-23 da 300 Mw
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TRANSISTOR BIPOLARE dei TRANSISTOR per tutti gli usi del transistor SOT-23 del Mosfet di potere del transistor del npn di BC847C
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Transistor bipolare (BJT) NPN 45 V 100 mA 300MHz un supporto di superficie SOT-23 da 200 Mw
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Semiconduttore integrato amplificatore per tutti gli usi BIPOLARE del TRANSISTOR dei TRANSISTOR di BC807-40 SOT-23 (PNP) PNP
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Transistor bipolare (BJT) PNP 45 V 500 mA 100MHz un supporto di superficie SOT-23 da 300 Mw
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Mosfet di commutazione di potere VCEsat del transistor basso di PBSS4320T 20 V NPN
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Transistor bipolare (BJT) NPN 20 V 2 un 100MHz un supporto di superficie TO-236AB da 540 Mw
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BCP54 Power Mosfet IC Transistor NPN per amplificatori generici
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Bipolar (BJT) Transistor NPN 45 V 1.5 A 1.5 W Surface Mount SOT-223-4
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DDTC144EE-7-F NPN PRE-BIASED PICCOLO SEGNALE SOT-523 TRANSISTOR A MONTAGGIO SUPERFICIALE
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Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 250 MHz 150 mW Surface Mount SOT-523
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BT151-500R N Canale MOS FET NPN Transistor epitassiale al silicio 3 Pin Transistor Tiristori
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Transistor per uso generico NPN BC848B
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Bipolar (BJT) Transistor NPN 30 V 100 mA 100MHz 200 mW Surface Mount SOT-23
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Circuiti integrati per tutti gli usi di elettronica del transistor di BC817-25LT1G NPN
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Transistor bipolare (BJT) NPN 45 V 500 mA 100MHz un supporto di superficie SOT-23-3 (TO-236) da 300
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Transistor ad alta tensione del mosfet di potere di MMBTA43LT1G, transistor del mosfet di potere di rf
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Transistor bipolare (BJT) NPN 200 V 50 mA 50MHz un supporto di superficie SOT-23-3 (TO-236) da 225 M
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Transistor planare epitassiale del silicio PNP, audio mosfet di potere 2SB1560
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Transistor bipolare (BJT) PNP - DarliCM GROUPon 150 V 10 A 50 MHz 100 W Foro passante TO-3P
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LM2577T-ADJ 3 Pin Transistor SWITCHER-R SEMPLICE aumentano il regolatore di tensione
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Boost, Flyback, Forward Converter Switching Regulator IC Positive Adjustable 1.23V 1 Output 3A (Switch) TO-220-5
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Transistor del modulo Mosfet di potenza EMD3T2R Uso generico (doppio transistor digitale)
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TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT563
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Il transistor del Mosfet di potere di MGW12N120D ha isolato il transistor bipolare del portone con il diodo antiparallelo
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IGBT
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Alto potere di commutazione del transistor del Mosfet di potere di MMBT4401LT1G UN palladio da 225 Mw
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Transistor bipolare (BJT) NPN 40 V 600 mA 250MHz un supporto di superficie SOT-23-3 (TO-236) da 300
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Transistor complementari del silicio del transistor del Mosfet di potere TIP120
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Transistor bipolare (BJT) NPN - DarliCM GROUPon 60 V 5 A 2 W attraverso il foro TO-220
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Mosfet planare epitassiale 2SB1560, di potere del silicio PNP audio
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Bipolar (BJT) Transistor PNP - DarliCM GROUPon 150 V 10 A 50MHz 100 W Through Hole TO-3P
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